Investigation of double-delta-doped InAlGaP/GaAs/InGaAs field effect transistors

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標題:	Investigation of double-delta-doped InAlGaP/GaAs/InGaAs field effect transistors
作者:	Lee, H. Y. In-Jen Lin Shieh, H. M. Lee, C. T.
公開日期:	八月-2002
卷:	46
期:	8
來源出版物:	Solid-State Electronics
URI:	http://scholars.ntou.edu.tw/handle/123456789/5787
ISSN:	0038-1101
DOI:	10.1016/s0038-1101(02)00044-8 ://WOS:000177094400001
顯示於：	資訊工程學系

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