Optimization of Back Channel Leakage Characteristic in PD SOI p-MOSFET

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標題:	Optimization of Back Channel Leakage Characteristic in PD SOI p-MOSFET
作者:	Lo, H. C. Chen, Y. T. Li, C. T. Luo, W. C. Lu, W. Y. Chen, M. C. Cheng-Fa Cheng Chen, T. L. Yang, C. T. Lien, C. H. Fung, S. K. H. Wu, C. C.
公開日期:	2010
卷:	157
期:	9
來源出版物:	Journal of the Electrochemical Society
URI:	http://scholars.ntou.edu.tw/handle/123456789/5517
ISSN:	0013-4651
DOI:	10.1149/1.3459931 ://WOS:000280348300040
顯示於：	通訊與導航工程學系

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