第 1 到 1 筆結果,共 1 筆。
公開日期 | 標題 | 作者 | 來源出版物 | WOS | 全文 | |
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1 | 1998 | Effects of passivation-layer thickness and current gain enhancement of InGaP/GaAs delta-doped single heterojunction bipolar transistors using an InGaP passivation layer | Wen-Shiung Lour ; Hsieh, J. L. | Semiconductor Science and Technology | 31 |