Temperature dependences of an In0.46Ga0.54As/In0.42Al0.58As based metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT)

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標題:	Temperature dependences of an In0.46Ga0.54As/In0.42Al0.58As based metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT)
作者:	Chen, C. W. Lai, P. H. Wen-Shiung Lour Guo, D. F. Tsai, J. H. Liu, A. C.
公開日期:	九月-2006
卷:	21
期:	9
來源出版物:	Semiconductor Science and Technology
URI:	http://scholars.ntou.edu.tw/handle/123456789/8735
ISSN:	0268-1242
DOI:	10.1088/0268-1242/21/9/024 ://WOS:000240123200025
顯示於：	電機工程學系

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