Characteristics improvement for an n-p-n heterostructure optoelectronic switch by introducing a wide-gap layer in the collector

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標題:	Characteristics improvement for an n-p-n heterostructure optoelectronic switch by introducing a wide-gap layer in the collector
作者:	Guo, D. F. Yen, C. H. Tsai, J. H. Wen-Shiung Lour Liu, W. C.
公開日期:	2007
卷:	154
期:	1
來源出版物:	Journal of the Electrochemical Society
URI:	http://scholars.ntou.edu.tw/handle/123456789/8758
ISSN:	0013-4651
DOI:	10.1149/1.2374939 ://WOS:000242538600062
顯示於：	電機工程學系

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