Bias-temperature instability on fully silicided-germanided gates/high-k Al2O3CMOSFETs

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標題:	Bias-temperature instability on fully silicided-germanided gates/high-k Al2O3CMOSFETs
作者:	Liao, C. C. Yu, D. S. Cheng-Fa Cheng Chin, A.
公開日期:	2005
卷:	152
期:	6
來源出版物:	Journal of the Electrochemical Society
URI:	http://scholars.ntou.edu.tw/handle/123456789/5516
ISSN:	0013-4651
DOI:	10.1149/1.1901104 ://WOS:000229475300074
顯示於：	通訊與導航工程學系

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