Temperature-dependent characteristics of an emitter-ledge passivated InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor

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標題:	Temperature-dependent characteristics of an emitter-ledge passivated InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor
作者:	Chen, T. P. Fu, S. I. Tsai, J. H. Wen-Shiung Lour Guo, D. F. Cheng, S. Y. Liu, W. C.
公開日期:	十二月-2006
卷:	21
期:	12
來源出版物:	Semiconductor Science and Technology
URI:	http://scholars.ntou.edu.tw/handle/123456789/8742
ISSN:	0268-1242
DOI:	10.1088/0268-1242/21/12/040 ://WOS:000242726300041
顯示於：	電機工程學系

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